IGBT芯片技术发展
从20世纪80年代至今，IGBT芯片经历了7代升级，从平面穿通型(PT)到沟槽型电场-截止型(FS-Trench)，芯片面积、工艺线宽、通态饱和压降、关断时间、功率损耗等各项指标经历了不断的优化，断态电压也从600V提高到6500V以上。IGBT技术的整体发展趋势是大电流、高电压、低损耗、高频率、功能集成化、高可靠性。
不同代际IGBT芯片产品对比
随着技术的升级，IGBT芯片面积、工艺线宽、通态功耗、关断时间、开关功耗均不断减小，断态电压由第一代的600V升至第七代7000V。
不同代际的IGBT芯片产品应用情况也有所不同：
中国IGBT芯片企业技术布局
中国IGBT产品与国际巨头英飞凌、三菱电机等差距在10年以上，步入第5代后，预计差距将缩短为10年，第6/7代产品差距将在5年以内。从中国IGBT芯片行业代表性企业从技术格局来看，斯达半导应用第七代IGBT技术，电压覆盖范围为100-3300V;华微电子布局第六代IGBT技术，电压覆盖范围为360-1350V;士兰微、时代电气、宏微科技应用第五代IGBT技术;新洁能主要应用第四代IGBT技术。
IGBT芯片行业科研投入水平
以宏微科技、斯达半导、士兰微、时代电气为主要代表企业分析，2018-2021年，我国IGBT芯片行业研发费用从0.1元到19亿元不等，研发费用占营业收入比重整体不超过15%。其中，时代电气在科研投入规模和占比均位于行业前列，2021年，公司研发投入为17.85亿元，占收入比重的11.81%。
IGBT芯片技术“门槛”高，不仅涉及设计、圆野制造、封装三个高精尖技术领域，而且难度大、周期长、投入高。高铁、智能电网、新能源与高压变频器等领域所采用的IGBT模块规格在6500V以上，技术壁垒较强;IGBT芯片设计制造、模块封装、失效分析、测试等IGBT产业核心技术仍掌握在发达国家企业手中。我国要想实现IGBT芯片的技术突破，企业需要持续增加研发投入，减少与国际头部厂商IGBT芯片的代知腔尺际差异。
中国IGBT芯片行业技术趋势
从行业整体发展规律而言，IGBT发展趋势主要是降低损耗和降低成本。
从结构上讲，IGBT主要有三个发展方向：
1)IGBT纵向结构：非透明集电区NPT型、带缓冲层的PT型、透明集电区NPT型和FS电场截止型;
2)IGBT棚极结构：平面棚机构、Trench沟槽型结构;
3)硅片加工工艺：外延生长技术、区熔硅单晶。
以上数据来源于前瞻产业研究院《中国IGBT芯片行业市场前瞻与投资搭高战略规划分析报告》
三菱无机房电梯驱动灯不亮，原因分析：
1、当电梯安全回路不通，29#指示不正常，89#灯发光二极管也是不能正常点亮的，或许89灯灭了立马就亮，很大程度就是安全回路的问题。
2、检查上下限位开关是否正常，接线困袜是否正确，线路有无破皮接地。
3、温度保险丝烧毁，汪绝激89也不能点亮。
4、当电源板上检测安全回路是否接地的玻璃管熔断丝断路了，导致安全回路不正常，此时89灯也是不能点亮的。
5、当抱闸间隙过小时，长时间运行，主机曳引轮摩擦过大，主机温度升高，抱闸温度过高检出，电梯自保护，导致电梯宏滑死机，快慢车不能开。
6、当模块或IGBT坏了，89灯也是不亮的，可以根据大小故障码来维修。
7、主板继电器故障。
三菱、英飞凌是同一等级，在全球能占80%的市场，赛米控要靠后很多啦，毕竟赛米控没有自己的晶原，要靠买别人的晶原，这样器件一致性很难保证，不信可以并联实测；三菱和英飞凌都是用自己的晶原，英飞凌在1700V这个电压等级很有优势，三菱在智能功率模块（IPM）和稿嫌高压模块键笑手方面有很大的优势，光伏逆变中1200V 1400A和2400A三菱占有很大的比例。
我的回答希望对你有用，如有问题可以QQ交流（升配QQ：283191064）
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
IGBT模块是由IGBT（绝缘栅双极型晶体管芯片）与FWD（续流二极管芯片）通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品；封装后的IGBT模块直接应用于变频器、UPS不间断电源等设备上；
IGBT模块具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点；当前市场上销售的多为此类模块化产品，一般所说的IGBT也指IGBT模块；随着节能环保等理念的推进，此类产品在市场上将越来越多见；
IGBT是能源变换与传输的核心器件，俗称电力电子装置的“CPU”，作为国家战略性新兴产业，在轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车与新能源装备等领域应用极广域 静态特性
三菱制大功率IGBT模块IGBT 的静态特性主要有伏安特性、转移特性。
IGBT 的伏安特性是指以栅源电压Ugs 为参变量时，漏极电流与栅极电压之间的关系曲线。输出漏极电流比受栅源电灶裤液压Ugs 的控制，Ugs 越高，纯盯 Id 越大。它与GTR 的输出特性相似．也可分为饱和区1 、放大区2 和击穿特性3 部分。在截止状态下的IGBT ，正向电压由J2 结承担，反向电压由J1结承担。如果无N+缓冲区，则正反向阻断电压可以做到同样水平，加入N+缓冲区后，反向关断电压只能达到几十伏水平，因此限制了IGBT 的某些应用范围。
IGBT 的转移特性是指输出漏极电流Id 与栅源电压Ugs 之间的关系曲线。它与MOSFET 的转移特性相同，当栅源电压小于开启电压Ugs(th) 时，IGBT 处于关断状态。在IGBT 导通后的大部分漏极电流范围内， Id 与Ugs呈线性关系。*高栅源电压受*大漏极电流限制，其*佳值一般取隐物为15V左右。
IGBT动态特性
动态特性又称开关特性，IGBT的开关特性分为***部分：一是开关速度，主要指标
三菱电梯被水冲了现在有慢车无快车是怎么回事
三菱电梯EF故障代码是：EFswnrs2 控制电脑不能再启动。
排除的处理方法如下：
有慢车无快车：
1、若故障在端站，与限位开关的安装尺寸(停车撞限位)、强迫减速开关与撞铁的距离(开关未可靠断开)有关;
2、称量装置变形，导致铜管不动或差动变压器零点偏移，在线数据与控制板中的调试数据差异很大;
3、PAD开关故障、或高速强换开关触点氧化信号传递不好;
4、抱闸力矩开关氧化或接触不好;
5、钢丝绳打滑，导致电梯位置偏差过大;
6、逆变器风扇故障，导致逆变器过热如桐蔽;
7、门机板故障，电梯停层无法开门;
8、P1板工作不稳定。
快慢车都没有原因：
1、因瞬间过压造成温度保险坏，伴有E7(欠压)故障;
2、因过电流导致IGBT模块坏，伴有E5(过流)故障;
3、驱动板本身故障等。
扩展资料：
三菱电梯是比较知名的牌子，质量也比较有保障，但三菱电梯也会出现一些故障问题。三菱电梯从GPS, GPS2到GPS3，系统机构发生了很大的变化，操作方法有较大差异。但其基本故障代码是一样的。在实际维修中，故障代码只是一个维修的参考：
主板故障代码：
E0 无故障
E1 欠速故障
E2 超速故障
E3 反转故障
E4AST故障(失速)
E5 过电流
E6 过电压
E7 欠电压
E8LB接触器故障
E9接触器故障
EA BK抱闸故轮磨障
EB轿厢串行传送故障
EC厅层串行传送故障
ED系统错误(基板跨接器设定错误)
EEsddnrs 驱动电脑不能再启动
EFswnrs2 控制电脑不能再启动
门机板故障代码：
0 串行传送错误
1 变频器过流
2 +12v欠电压
3 主回路欠压
4 CPU之WDT错误
4. GS(门锁)错误
5. 位置开关错误
7 开关门指令错误
9 关门操作错误
A 开关门超速
A. 位置计数器出错
B. 位置监测器出渣州错
C. 编码器错误
D 过负载
E. DLD余量不足
F 超速检查
F. GS释放时指示
猜测：1U代表单管，2U代表上下桥臂两个管子，6U表示6个管子组成的三相桥臂。只是猜测而已啊~~~
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